El CNA emplea protones y neutrones para testear circuitos electrónicos
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- Categoría: Prensa
- Publicado el Martes, 26 Septiembre 2017 08:31
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* Se han utilizado protones de la línea de haz externo del Ciclotrón y neutrones generados con el acelerador Tándem.
* El objetivo de los experimentos ha sido inducir errores en componentes electrónicos y verificar su correcto funcionamiento.
Mediante el uso de tecnologías nanométricas se ha conseguido mejorar los sistemas electrónicos, llevándolos a tamaños mucho más compactos y sistemas con respuestas más rápidas, de tal modo que la radiación ionizante se ha convertido en un inconveniente a la hora de trabajar con estos minúsculos sistemas, de tal modo partículas alfa, neutrones, protones, iones pesados y otros las partículas pueden interactuar con estos dispositivos afectando su comportamiento.
Cuando una o más células de memoria están dañadas por la radiación, los datos almacenados se pueden perder o estar irreparablemente dañados. Por estas razones, resulta crítico analizar el impacto del error suave en la tasa de error global del sistema de las memorias estáticas.
Las células de 6 transistores (6T) mejoran el modo de lectura al enfriar los transistores de paso de acceso pero precisamente se busca lo contrario, es decir, mejorar la capacidad de escritura. Para ello, se han propuesto estructuras celulares alternativas para superar las limitaciones de las células 6T, de tal modo que las células 8T están siendo adoptadas como una alternativa a la célula 6T en diseños industriales.
Las principales fuentes de radiación causantes de errores suaves en los componentes microelectrónicos son los neutrones, en especial de alta energía, y los iones, principalmente las partículas alfa. Los neutrones no son partículas directamente ionizantes, sin embargo, pueden interactuar con los átomos Silicio-28 y otros elementos, creando partículas fuertemente ionizantes (como la partícula alfas y los protones). Por tanto lo neutrones crean una ionización secundaria. Estas partículas secundarias pueden ser generadas en cualquier parte del material semiconductor y terminar incidiendo en los transistores.
